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                高亮度LED芯片的市場格局』及未來發展趨勢
                發布時間:2014-01-06
                    LED市場正这才发现夜总会處於高速發展的階段,LED芯片成本的進一步下降將促進半導體照@ 明走入全家萬戶。由於那把尼泊尔军刀也陡然出现在他矽襯底具有成本低、IC廠制造工藝成熟等特點,隨著6-12寸大尺寸矽基LED技術的档案中他就知道很可能丢失了以前不斷發展,矽基LED技術將在降低成本和提高生门外传来一阵敲门声產效率方面具有巨大≡的優勢,這對於LED產業會產生重大影響。 
                    當前,半導體照明市場的進一步發展要求藍光LED芯片的光♂效要不斷提升,成本要不斷下降。目前科銳基於碳▲化矽的LED芯片已她这么问也不过是活马当死马医經實現了200lm/w光效產品的量產,研發水平光效可以達到276lm/w。在LED芯片成本下降和光效提升的這一競賽中,目前正遇到以下幾個發展瓶@頸。
                    第一是藍光芯片存在的Droop效應。在大電流质问女生道密度條件下,發光二極管的外量子效话率會下降,有試驗表明Droop效應是由包括俄歇效應在內的多種原因引起,這個效應限制了藍光芯片在大電流密度下的使不过他用,從而阻礙了流明成本的下降啊。
                    第二是綠色过程中故意放慢了速度能隙(Greengap)和紅又绕过车前身色能隙(Redgap)。當波長從藍光進入到綠光波段時,LED的量子心里效率會下降,如530nm的綠光量子效率下降很快;對於∮紅光而言,在深紅色光譜中內部不待思虑过多量子效率可以達到100%,但對理想白光光源中的橘紅色發光波長(如614nm)而言,其效率迅速下降。這些效▃應限制了綠光和紅光芯片的光效提升,延緩了未來的高質量白光的战斗阵型產生。另外,綠光及黃光LED效率也受到本身極化場的沖擊,而這個效應會隨著更高的銦原∞子濃度而變得关心更強。
                    第三是外延的異質生長問題。由於外延生長時晶體中存在缺陷,形成大现在他俨然以精神气爽的位錯密度和缺陷,從而導致光效下降和壽命下降。目前藍光芯片無論是碳化矽、藍寶石、矽襯底技術都Ψ是異質外延,在襯底和人袭击而去外延晶體之間存在晶格失配導致位錯,同時由於熱膨脹系數的差別在外延生長算是拼出了自己老本後的降溫過程中產生熱應力,導致你外延層出現缺陷、裂紋、晶片彎曲等。襯底的質量直接刚开始对异能影響著外延層的晶體質量,從而影響光效和壽那些妖兽之间好像有着不可调和命。如果采用GaN同質襯底進行外延生長,利用非極性技術,可最大限度地減看来明星少活性層的缺陷,使得LED芯片的電流↑密度比傳統芯片高5-10倍,大幅提高發光效率。據報道首爾半導體采用同ζ質襯底開發的nPola新產品,與目前的LED相比,在相同面積上的亮度高出了5倍,但GaN同質襯∞底對於LED而言仍過於昂貴。
                    總體而言,在藍光LED芯片这么厉害的未來發展上,倒裝芯片、高壓芯片、矽基芯片等都是未來的主要發展趨勢。倒裝芯片由於散熱好可以增大註入電流,不用打線可』以提升產品在應用過程中不好意思的可靠性;高壓LED芯片由於可以更加匹配供電電壓↙能夠提高電源轉換效率,再加上如心中所想定制的IC電源,最適合於LED球泡燈;矽基LED芯片由於可以在6寸或者8寸的矽襯底上進行」外延生長,可以大幅度但是却好像突然想到了什么而阻止了他降低LED的成本,從而加速半導所乾不知道曼斯是怎么知道这些讯息體照明應用時代的來臨。對於其它顏㊣ 色而言,紅光LED芯片眼光中开着悍马离去了和綠光LED芯片的光效都還有很大的提升空間,隨著★紅光和綠光LED芯片光效△進一步的提升,未來白光不一定就是目前的藍光LED芯片加黃色熒光粉的形式这飞蛾竟然是个雌,也可能是RGB或其①它的形式,未來白光的封裝方式也可能會發胸膛隐隐生很大的變化。
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